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[전자회로] 8. BJT 트랜지스터의 소신호 모델

이전 시간에 알아보았던 식으로는 신호의 작은 변화에 대해서도 복잡한 식을 풀어야 합니다. 소신호 모델을 이용하면 비선형적인 식을 선형적으로 바꾸어줍니다. 따라서 미리 계산한 식을 이용해서 근사적으로 결과를 구할 수 있습니다.1) npn 트랜지스터 소신호 모델 소신호 모델을 이용하면 왼쪽과 같은 npn BJT 트랜지스터를 오른쪽과 같이 바꿀 수 있습니다. r_ π는 베이스와 이미터 사이 저항의 크기입니다. v_ π는 r_ π에 걸리는 전압입니다. gm은 Transconductance라고 부르며 입력 전압이 전류에 얼마나 영향을 주는지를 결정하는 요소입니다. 컬렉터에서 흘러 들어오는 전류의 크기가 트랜스컨덕턴스(gm)와 v_ π의 전압으로 결정되는 것을 볼 수 있습니다. r_ π는 gm과 β를 이용해서 수할..

전자회로 2025.02.01
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트랜지스터, cb stage, wave rectifier, MOSFET, channel length modulation, NPN, emitter follower, impedance, ce stage, cut off region, early effect, exponential model, PNP, 소신호모델, gain, nmos, saturation region, constant voltage model, pmos, triode region,

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