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2025/04 1

[전자회로] 16. MOSFET의 소신호 모델

이전 시간에 알아보았던 식으로는 신호의 작은 변화에 대해서도 복잡한 식을 풀어야 합니다. 소신호 모델을 이용하면 비선형적인 식을 선형적으로 바꾸어줍니다. 따라서 미리 계산한 식을 이용해서 근사적으로 결과를 구할 수 있습니다. BJT 트랜지스터를 소신호 모델로 변환했던 것처럼 MOSFET도 소신호 모델로 변환할 수 있습니다.1) nMOS 소신호 모델 V_GS는 게이트와 소스 사이의 전압 차이입니다. gm은 Transconductance라고 부르며 입력 전압이 전류에 얼마나 영향을 주는지를 결정하는 요소입니다. 컬렉터에서 흘러 들어오는 전류의 크기가 트랜스컨덕턴스(gm)와 V_GS의 전압으로 결정되는 것을 볼 수 있습니다. MOSFET의 트랜스컨덕턴스(gm)은 위와 같은 식으로 구할 수 있습니다.2) Cha..

전자회로 2025.04.15
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channel length modulation, impedance, NPN, ce stage, emitter follower, cut off region, triode region, exponential model, gain, early effect, constant voltage model, wave rectifier, 트랜지스터, 소신호모델, pmos, cb stage, saturation region, nmos, PNP, MOSFET,

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