2025/02 3

[전자회로] 10. CB stage

1) CB stage 임피던스와 전압 gain CE stage란 BJT트랜지스터를 이용한 증폭기로 이미터로 입력을 받고 컬렉터로 출력을 내보내는 구조를 가집니다. small signal model로 변환할때 DC전압은 small signal에 영향을 주지 않기 떄문에 그라운드로 표시할 수 있습니다. 따라서 왼쪽과 같은 CB stage를 오른쪽과 같은 small signal model로 변환할 수 있습니다. Input impedance를 구하기 위해 이미터에서 나오는 전류를 I_in이라고 정합니다. 컬렉터에서 gm v_ π의 전류가 흘러 들어오고 있고 베이스로는 v_ π / r_ π의 전류가 흘러 나가고 있습니다. V_in + v_ π = 0이 성립하기 때문에 v_ π = - V_in임을 확인할 수 있습니..

전자회로 2025.02.23

[전자회로] 9. CE stage

1) CE stage 임피던스와 전압 gainCE stage란 BJT트랜지스터를 이용한 증폭기로 베이스로 입력을 받고 컬렉터로 출력을 내보내는 구조를 가집니다. 왼쪽 그림은 CE stage의 가장 기본적인 구조고, 오른쪽은 이를 small signal model로 변환한 것입니다. 위 회로의 임피던스와 전압 gain을 구해보겠습니다. input(베이스)에서 보았을 때 회로의 저항은 r_ π입니다. 따라서 input impedance는 r_π입니다. output(컬렉터)에서 보았을 때 회로의 저항은 R_c입니다.  따라서 output impedance는 R_c입니다. v_ π는 베이스와 이미터 사이의 전압 차이에 해당합니다. 베이스에는 V_in의 전압이 걸려 있고, 이미터 전압은 0이기 때문에 v_ π는 ..

전자회로 2025.02.07

[전자회로] 8. BJT 트랜지스터의 소신호 모델

이전 시간에 알아보았던 식으로는 신호의 작은 변화에 대해서도 복잡한 식을 풀어야 합니다. 소신호 모델을 이용하면 비선형적인 식을 선형적으로 바꾸어줍니다. 따라서 미리 계산한 식을 이용해서 근사적으로 결과를 구할 수 있습니다.1) npn 트랜지스터 소신호 모델 소신호 모델을 이용하면 왼쪽과 같은 npn BJT 트랜지스터를 오른쪽과 같이 바꿀 수 있습니다. r_ π는 베이스와 이미터 사이 저항의 크기입니다. v_ π는 r_ π에 걸리는 전압입니다. gm은 Transconductance라고 부르며 입력 전압이 전류에 얼마나 영향을 주는지를 결정하는 요소입니다. 컬렉터에서 흘러 들어오는 전류의 크기가 트랜스컨덕턴스(gm)와 v_ π의 전압으로 결정되는 것을 볼 수 있습니다. r_ π는 gm과 β를 이용해서 수할..

전자회로 2025.02.01